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意法 元器件 L6385D LM723N BDX54C
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最后更新:2022-11-22 16:12
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地区 广东-深圳市
产品详情

品牌

ST/意法半导体

封装

SOIC-8

批次

2021

数量

16840

描述

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

详细描述

半桥-栅极驱动器-IC-反相-8-SO

数据列表

L6385;

标准包装

2,000

包装

管件

零件状态

停產

产品族

PMIC - 栅极驱动器

其它名称

497-1435-5

驱动配置

半桥

通道类型

独立式

驱动器数

2

栅极类型

IGBT,N 沟道 MOSFET

电压 - 供电

17V(最大)

逻辑电压 - VIL,VIH

1.5V,3.6V

输入类型

反相

上升/下降时间(典型值)

50ns,30ns

工作温度

-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SO

可售卖地

全国

类型

集成电路(IC)

型号

L6385D

技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:L6385D
封装:SOIC-8
批次:2021
数量:16840
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)
详细描述:半桥-栅极驱动器-IC-反相-8-SO
数据列表:L6385;
标准包装:2,000
包装:管件
零件状态:停產
类别:集成电路(IC)
产品族:PMIC - 栅极驱动器
系列:-
其它名称:497-1435-5
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:17V(最大)
逻辑电压 - VIL,VIH:1.5V,3.6V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
输入类型:反相
高压侧电压 - 最大值(自举):600V
上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO


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