品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
18776
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NK40Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
正向跨导 - 最小值
5.8 S
下降时间
18 ns
上升时间
20 ns
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.438 g
可售卖地
全国
型号
STP11NK40Z
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STP11NK40Z |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 18776 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 400 V |
| Id-连续漏极电流： | 9 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 550 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 9.15 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STP11NK40Z |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.6 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 5.8 S |
| 下降时间： | 18 ns |
| 上升时间： | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 40 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 单位重量： | 1.438 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812