品牌
德州仪器
封装
SOIC-8
批次
2021
数量
11860
制造商
Texas Instruments
产品种类
高速运算放大器
RoHS
是
系列
THS4211
通道数量
1 Channel
GBP-增益带宽产品
300 MHz
SR - 转换速率
970 V/us
电压增益 dB
68 dB
CMRR - 共模抑制比
52 dB to 56 dB
Ib - 输入偏流
15 uA
Vos - 输入偏置电压
12 mV
电源电压-最大
15 V
电源电压-最小
5 V
工作电源电流
19 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
高度
1.58 mm
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
en - 输入电压噪声密度
7 nV/sqrt Hz
工作电源电压
15 V
Pd-功率耗散
1020 mW
PSRR - 电源抑制比
58 dB
单位重量
76 mg
可售卖地
全国
型号
THS4211DR
技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | THS4211DR |
| 封装： | SOIC-8 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 11860 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | 高速运算放大器 |
| RoHS： | 是 |
| 系列： | THS4211 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| GBP-增益带宽产品： | 300 MHz |
| SR - 转换速率 ： | 970 V/us |
| 电压增益 dB： | 68 dB |
| CMRR - 共模抑制比： | 52 dB to 56 dB |
| Ib - 输入偏流： | 15 uA |
| Vos - 输入偏置电压 ： | 12 mV |
| 电源电压-最大： | 15 V |
| 电源电压-最小： | 5 V |
| 工作电源电流： | 19 mA |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 高度： | 1.58 mm |
| 长度： | 4.9 mm |
| 宽度： | 3.91 mm |
| en - 输入电压噪声密度： | 7 nV/sqrt Hz |
| 工作电源电压： | 15 V |
| Pd-功率耗散： | 1020 mW |
| PSRR - 电源抑制比： | 58 dB |
| 单位重量： | 76 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812