品牌
ST/意法半导体
封装
TO-252-3
批次
2021
数量
10692
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
系列
STD5N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
STD5N62K3
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD5N62K3 |
| 封装： | TO-252-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 10692 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 620 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.6 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 30 V |
| Qg-栅极电荷： | 26 nC |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 70 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD5N62K3 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 单位重量： | 4 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812