品牌
德州仪器
封装
PICOSTAR-3
批次
2021
数量
18257
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Qg-栅极电荷
1.01 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17483F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
正向跨导 - 最小值
2.4 S
下降时间
3.4 ns
上升时间
1.3 ns
典型关闭延迟时间
10.6 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
0.400 mg
可售卖地
全国
型号
CSD17483F4
技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD17483F4 |
| 封装： | PICOSTAR-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 18257 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PICOSTAR-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 1.5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 240 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 650 mV |
| Qg-栅极电荷： | 1.01 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.35 mm |
| 长度： | 1 mm |
| 系列： | CSD17483F4 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 0.64 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 2.4 S |
| 下降时间： | 3.4 ns |
| 上升时间： | 1.3 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 10.6 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.3 ns |
| 单位重量： | 0.400 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812