品牌
ST/意法半导体
封装
VDFN-8
批次
2021
数量
16731
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ V
FET 类型
N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±22V
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
漏源电压（Vdss）
30V
可售卖地
全国
型号
STL60N3LLH5
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STL60N3LLH5 |
| 封装： | VDFN-8 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 16731 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | STripFET™ V |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 7.1 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值）： | ±22V |
| 功率耗散（最大值）： | 60W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1290pF @ 25V |
京公网安备 11011402013499号
18612249812