品牌
ST/意法半导体
封装
TO-3P
批次
2021
数量
15642
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT60H65DFB
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
可售卖地
全国
型号
STGWT60H65DFB
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STGWT60H65DFB |
| 封装： | TO-3P |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 15642 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 封装 / 箱体： | TO-3P |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.6 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 80 A |
| Pd-功率耗散： | 375 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 系列： | STGWT60H65DFB |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 60 A |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 栅极—射极漏泄电流： | 250 nA |
| 产品类型： | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量： | 300 |
| 子类别： | IGBTs |
| 单位重量： | 6.756 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812