品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
16961
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STP80NF55-06FP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
155 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
125 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STP80NF55-06FP
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STP80NF55-06FP |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 16961 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220FP-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 55 V |
| Id-连续漏极电流： | 60 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 45 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | STripFET |
| 高度： | 9.3 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STP80NF55-06FP |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.6 mm |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | 65 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 155 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 125 ns |
| 典型接通延迟时间： | 27 ns |
| 单位重量： | 330 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812