品牌
ST/意法半导体
封装
TO-262AA-3
批次
2021
数量
19897
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II Plus
FET 类型
N 通道
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±25V
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET -
型号
STI33N60M2
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STI33N60M2 |
| 封装： | TO-262AA-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 19897 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | MDmesh™ II Plus |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 125 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 45.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1781 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值）： | 190W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
京公网安备 11011402013499号
18612249812